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晶体管
RU1C002ZPTCL参考图片

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RU1C002ZPTCL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
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数量单价合计
1
¥1.8419
1.8419
10
¥1.243
12.43
100
¥0.52206
52.206
1,000
¥0.35369
353.69
3,000
¥0.27685
830.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323FL-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
200 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
300 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
1.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
2 mm
产品
MOSFET
系列
RU1C002ZP
晶体管类型
1 P-Channel MOSFET
类型
Power MOSFET
宽度
1.25 mm
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
RU1C002ZP
单位重量
124.600 mg
商品其它信息
优势价格,RU1C002ZPTCL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Channel 40 V StripFET II Pwr Mos
1:¥26.668
10:¥22.6678
100:¥19.6733
250:¥18.6676
参考库存:5738
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥506.2174
参考库存:39705
晶体管
MOSFET Quad P-Channel EPAD Matched Pair
暂无价格
参考库存:39708
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥141.5438
250:¥129.0121
500:¥120.7179
参考库存:39711
晶体管
MOSFET 50V, 70A EETMOS POWER MOSFET
暂无价格
参考库存:39714
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