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产品分类

晶体管
STH185N10F3-6参考图片

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STH185N10F3-6

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 3.9 mOhm typ., 180 A STripFET F3 Power MOSFET in H2PAK-6 package
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库存:4,881(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥36.3408
36.3408
10
¥30.8942
308.942
100
¥26.7358
2673.58
250
¥25.4363
6359.075
1,000
¥19.21
19210
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
3.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
114.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
315 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.8 mm
长度
15.8 mm
系列
STH185N10F3-6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
10.4 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
6.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
97.1 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
99.9 ns
典型接通延迟时间
25.6 ns
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格,STH185N10F3-6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET
1:¥55.709
10:¥50.172
25:¥45.7198
100:¥41.2676
参考库存:3370
晶体管
MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 88m (VGS=10V)
1:¥39.9568
10:¥32.1146
100:¥29.2783
250:¥26.4307
参考库存:4250
晶体管
MOSFET Pwr MOSFET 60V 2.2A 155mOhm SGL N-CH
1:¥2.9154
10:¥2.034
100:¥0.9379
1,000:¥0.72207
3,000:¥0.61472
参考库存:45680
晶体管
达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power NPN
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
1,800:¥1.4577
参考库存:16547
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Ampl/Switch
1:¥24.2837
10:¥21.6734
100:¥19.7524
250:¥17.8314
参考库存:3309
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