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晶体管
IPB009N03LGATMA1参考图片

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IPB009N03LGATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
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库存:2,323(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.5154
25.5154
10
¥21.6734
216.734
100
¥18.7467
1874.67
250
¥17.8314
4457.85
1,000
¥13.447
13447
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
700 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
227 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
180 S
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
103 ns
典型接通延迟时间
26 ns
零件号别名
G IPB009N03L IPB9N3LGXT SP000394657
商品其它信息
优势价格,IPB009N03LGATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET
1:¥6.7574
10:¥5.7517
100:¥4.4183
500:¥3.8985
1,000:¥3.0849
3,000:¥2.7346
参考库存:11501
晶体管
MOSFET MOSFT DUAL NCh 50V 3.0A
1:¥6.0681
10:¥5.0624
100:¥3.2657
1,000:¥2.6103
4,000:¥2.2035
参考库存:23518
晶体管
MOSFET N-CH 400V HEXFET MOSFET
1:¥30.1258
10:¥24.973
100:¥20.5886
250:¥19.8993
500:¥17.8992
参考库存:7085
晶体管
MOSFET 100V Single
1:¥4.068
10:¥3.3222
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
4,000:¥1.3334
参考库存:49366
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN+NPN Digital transistor(with built-in resistors)
1:¥3.0736
10:¥1.9775
100:¥0.85315
1,000:¥0.65314
8,000:¥0.43844
24,000:查看
参考库存:4235
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