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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Microchip
产品种类	IGBT 模块
RoHS	是
产品	IGBT Silicon Carbide Modules
配置	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO	1.2 kV
集电极—射极饱和电压	1.7 V
在25 C的连续集电极电流	153 A
栅极—射极漏泄电流	600 nA
Pd-功率耗散	446 W
封装 / 箱体	ISOTOP-4
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Tube
商标	Microchip / Microsemi
安装风格	SMD/SMT
栅极/发射极最大电压	30 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	1
子类别	IGBTs

商品其它信息

优势价格，APT100GN120JDQ4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IPB180N04S4L01ATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-CHANNEL 30/40V	1:¥19.436 10:¥16.5206 100:¥13.221 500:¥11.526 1,000:¥9.5259	参考库存:4133
NGTB15N60S1EG	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 15A 600V IGBT	1:¥11.8311 10:¥10.0683 100:¥8.0682 500:¥7.0625 1,000:¥5.8534	参考库存:3735
BSZ018NE2LS	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS	1:¥11.30 10:¥9.605 100:¥7.684 500:¥6.7348 5,000:¥5.0059	参考库存:13124
ZXTNS618MCTA	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V NPN Low AAT 40V 1A Schottky Dual	1:¥8.2264 10:¥7.0173 100:¥5.3901 500:¥4.7686 1,000:¥3.7629 3,000:¥3.7629	参考库存:6119
NSVEMD4DXV6T5G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT563 DUL BRT TR	1:¥2.9945 10:¥2.2487 100:¥1.2204 1,000:¥0.91417 8,000:¥0.73789 24,000:查看	参考库存:11101