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晶体管
RQ6E050ATTCR参考图片

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RQ6E050ATTCR

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Pch -30V -5A Power MOSFET
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库存:8,086(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥3.8194
38.194
100
¥1.7967
179.67
1,000
¥1.356
1356
3,000
¥1.2091
3627.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-457-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
38 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
20.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 P-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
9.6 ns
零件号别名
RQ6E050AT
单位重量
5.577 g
商品其它信息
优势价格,RQ6E050ATTCR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 80W 590pF 9.7A
1:¥10.7576
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
2,000:¥4.0906
10,000:查看
参考库存:5515
晶体管
MOSFET LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V
1:¥4.1471
10:¥2.3956
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
3,000:¥0.72207
参考库存:7277
晶体管
MOSFET 40V N-Channel NexFET Power MOSFET
1:¥11.526
10:¥9.7632
100:¥7.7631
500:¥6.8365
2,500:¥5.2658
5,000:查看
参考库存:40240
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -30V -5A 10W Pwr trnstr Low VCE
1:¥6.3054
10:¥5.1867
100:¥3.3448
1,000:¥2.6781
2,500:¥2.6781
参考库存:6722
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 580A
1:¥1,217.4507
5:¥1,188.1724
10:¥1,158.6681
25:¥1,142.3848
参考库存:4393
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