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晶体管
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TPS1120DR

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET
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库存:6,316(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.5996
14.5996
10
¥12.4526
124.526
100
¥9.9892
998.92
500
¥8.7575
4378.75
2,500
¥6.7122
16780.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
15 V
Id-连续漏极电流
1.17 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
2 V, - 15 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
Pd-功率耗散
840 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
TPS1120
晶体管类型
2 P-Channel
类型
PMOS Switches
宽度
3.9 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
4.5 ns
单位重量
76 mg
商品其它信息
优势价格,TPS1120DR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE-7
1:¥4.9155
10:¥4.1245
100:¥2.6668
1,000:¥2.1244
2,000:¥1.7967
参考库存:3834
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
1:¥6.2263
10:¥5.2319
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
5,000:¥2.2826
参考库存:4416
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.1077
500:¥6.2828
参考库存:3574
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥37.8776
10:¥32.1937
100:¥27.8884
250:¥26.4307
500:¥23.7413
参考库存:1685
晶体管
MOSFET SWITCHING DEVICE
1:¥5.2206
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
3,000:¥1.8758
参考库存:3076
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