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晶体管
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FQB9P25TM

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库存:7,677(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.526
11.526
10
¥9.831
98.31
100
¥7.5484
754.84
500
¥6.667
3333.5
800
¥5.2658
4212.64
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
9.4 A
Rds On-漏源导通电阻
620 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.13 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
FQB9P25
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
5.7 S
下降时间
65 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
150 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格,FQB9P25TM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 HYBRID PACK 2
1:¥5,202.9155
5:¥5,119.7701
参考库存:3530
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2Ohms
1:¥3.7629
10:¥2.4408
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.61472
参考库存:9489
晶体管
MOSFET N-Ch, 30V-0.038ohms 17A
1:¥6.9156
10:¥5.876
100:¥4.5087
500:¥3.9889
参考库存:6404
晶体管
MOSFET P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
1:¥6.0681
10:¥5.0624
100:¥3.2657
1,000:¥2.6103
参考库存:17985
晶体管
MOSFET 40V 65A N-Chnl Power Trench MOSFET
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.6049
500:¥6.78
1,000:¥5.3562
3,000:¥4.746
参考库存:5997
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