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晶体管
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FDMS6673BZ

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数量单价合计
1
¥15.2098
15.2098
10
¥12.9046
129.046
100
¥10.2943
1029.43
500
¥9.0626
4531.3
3,000
¥6.9495
20848.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Power-56-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
15.2 A
Rds On-漏源导通电阻
6.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
6 mm
系列
FDMS6673BZ
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
79 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
28 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
97 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
68.100 mg
商品其它信息
优势价格，FDMS6673BZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMRF1308HR5
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1308H/CFM4F///REEL 13
1:¥1,646.297
5:¥1,609.572
10:¥1,576.5986
25:¥1,553.3206
参考库存:21753
MMBTA14-7-F
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1:¥1.695
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.26103
参考库存:14943
AFT26HW050SR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.6GHz 50W NI780-4S4
1:¥607.262
5:¥589.5888
10:¥576.9893
25:¥552.7056
250:¥490.081
参考库存:21758
PUMH2,115
Nexperia
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双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:9429
DU28200M
MACOM
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥1,451.4285
2:¥1,427.2239
5:¥1,403.7877
10:¥1,381.1199
25:¥1,331.3321
参考库存:21763
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