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晶体管
FDP038AN06A0参考图片

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FDP038AN06A0

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库存:2,562(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥26.0465
26.0465
10
¥22.1254
221.254
100
¥19.21
1921
250
¥18.2156
4553.9
500
¥16.3624
8181.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
3.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
310 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP038AN06A0
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
60 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
144 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
34 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
FDP038AN06A0_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FDP038AN06A0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:58266
晶体管
MOSFET -60V -8A 27W AEC-Q101 Qualified
1:¥12.9046
10:¥10.7576
100:¥8.2942
500:¥7.2659
3,000:¥7.2659
参考库存:7334
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥49.0194
10:¥41.6518
100:¥36.1148
250:¥34.2729
1,000:¥25.8996
2,000:查看
参考库存:5779
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
1:¥33.8887
10:¥28.815
100:¥24.973
250:¥23.6622
参考库存:4398
晶体管
IGBT 晶体管
1:¥92.9764
10:¥85.5184
25:¥81.9928
100:¥72.2296
参考库存:3448
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