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晶体管
TK560A60Y,S4X参考图片

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TK560A60Y,S4X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 30W 380pF 7.0A
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10
¥7.5258
75.258
100
¥5.7856
578.56
500
¥5.1189
2559.45
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220SIS-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
430 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
14.5 nC
最小工作温度
-
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSV
封装
Tube
系列
TK560A60Y
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Toshiba
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
105 ns
典型接通延迟时间
50 ns
单位重量
2 g
商品其它信息
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