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晶体管
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FDMA86265P

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库存:11,082(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.5314
6.5314
10
¥5.4805
54.805
100
¥3.5369
353.69
1,000
¥2.825
2825
3,000
¥2.3843
7152.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
MicroFET-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
1 A
Rds On-漏源导通电阻
860 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
2.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.4 W
配置
Single
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2 mm
系列
FDMA86265P
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
2 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
1.9 S
下降时间
6.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.2 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8 ns
典型接通延迟时间
5.8 ns
单位重量
30 mg
商品其它信息
优势价格,FDMA86265P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, US6
1:¥3.7629
10:¥2.486
100:¥1.3899
1,000:¥1.01474
3,000:¥0.87575
参考库存:5422
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 0.15A 8V FT=16G
1:¥4.1471
10:¥3.4578
100:¥2.147
1,000:¥1.695
3,000:¥1.3786
参考库存:5505
晶体管
MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
1:¥14.8256
10:¥12.5995
100:¥10.0683
500:¥8.8366
800:¥7.3337
参考库存:3129
晶体管
MOSFET P-Chnl 450V
1:¥6.3054
10:¥5.424
100:¥4.1697
500:¥3.6838
1,000:¥2.9041
参考库存:7890
晶体管
MOSFET 20V DUAL N-CH ENH 12V VGS 3.7 IDS
1:¥7.1416
10:¥6.1585
100:¥4.7234
500:¥4.181
1,000:¥3.2996
3,000:¥3.2996
参考库存:4342
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