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晶体管
ZDT1053TA参考图片

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ZDT1053TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual 75V NPN HighG
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11.752
10
¥10.0683
100.683
100
¥7.684
768.4
500
¥6.8365
3418.25
1,000
¥5.3901
5390.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SM-8
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
75 V
集电极—基极电压 VCBO
150 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
5 A
增益带宽产品fT
140 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZDT1053
直流电流增益 hFE 最大值
260
高度
1.6 mm
长度
6.7 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
260 at 10 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 150 at 2 A, 2 V, 30 at 5 A, 2 V
Pd-功率耗散
2.75 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
140:¥102.8074
250:¥93.7448
500:¥87.6767
1,000:¥80.456
参考库存:36246
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥1,378.5096
参考库存:36249
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