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晶体管
IRGB4062DPBF参考图片

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IRGB4062DPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT
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库存:2,756(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥38.8833
38.8833
10
¥33.0412
330.412
100
¥28.6568
2865.68
250
¥27.1991
6799.775
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220AB-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
48 A
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 55 C
封装
Tube
高度
16.51 mm
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001544880
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRGB4062DPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 X1-DFN1006-3 T&R 3K
1:¥2.9154
10:¥2.0905
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:9794
晶体管
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 80mOhm
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
3,000:¥2.825
参考库存:4312
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
1:¥119.2602
10:¥118.0285
25:¥109.1919
100:¥100.3553
参考库存:3850
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.0736
10:¥1.9888
100:¥0.85315
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:9412
晶体管
MOSFET 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1 x 1
1:¥4.3844
10:¥3.39
100:¥2.5086
500:¥2.0679
1,000:¥1.5933
3,000:¥1.5933
参考库存:6424
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