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晶体管
R6030ENX参考图片

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R6030ENX

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
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库存:2,403(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥37.4256
37.4256
10
¥31.8095
318.095
100
¥27.5042
2750.42
250
¥26.1256
6531.4
500
¥23.4362
11718.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
115 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
85 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
86 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
15.4 mm
长度
10.3 mm
系列
Super Junction-MOS EN
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.8 mm
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
60 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
55 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
190 ns
典型接通延迟时间
40 ns
零件号别名
R6030ENX
单位重量
2.565 g
商品其它信息
优势价格,R6030ENX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg
1:¥3.0736
10:¥2.3843
100:¥1.2882
1,000:¥0.96841
3,000:¥0.83733
9,000:¥0.78422
参考库存:44266
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
1:¥15.0629
10:¥12.7577
100:¥10.2152
500:¥8.9948
参考库存:30698
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Power Transistor
1:¥7.458
10:¥6.328
100:¥4.859
500:¥4.294
4,000:¥3.0058
8,000:查看
参考库存:6422
晶体管
MOSFET P-Chan 60V 5.1 Amp
1:¥10.9158
10:¥8.9948
100:¥6.893
500:¥5.9212
1,000:¥4.6782
参考库存:6564
晶体管
MOSFET N-CH/500V/50A
1:¥47.3357
10:¥40.2619
100:¥34.8831
250:¥33.1203
参考库存:3468
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