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晶体管
SSM6L12TU,LF参考图片

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SSM6L12TU,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET LowON Res MOSFET ID=-0.5A VDSS=-30V
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库存：4,644(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.4522
4.4522
10
¥2.9267
29.267
100
¥1.6385
163.85
1,000
¥1.1865
1186.5
3,000
¥1.02943
3088.29
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
UF-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V, 20 V
Id-连续漏极电流
500 mA
Rds On-漏源导通电阻
120 mOhms, 210 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV, 1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SSM6L12TU
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
1 S, 0.65 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns, 15 ns
典型接通延迟时间
9 ns, 16 ns
单位重量
7 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-GT50TP120N
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24:¥545.7222
48:¥528.1168
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500:¥52.2512
1,000:¥45.4938
参考库存:33067
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1,000:¥6.0907
3,000:¥5.6726
5,000:¥5.4579
10,000:¥5.2432
参考库存:33070
PBRP123ET,215
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双极晶体管 - 预偏置 BISS RET
3,000:¥0.3842
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24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
99,000:¥0.25312
参考库存:33073
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