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晶体管
SIHB15N60E-GE3参考图片

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SIHB15N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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1
¥24.0464
24.0464
10
¥19.8993
198.993
100
¥16.4415
1644.15
250
¥15.9104
3977.6
1,000
¥15.9104
15910.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
280 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
39 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
180 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
41 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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暂无价格
参考库存:36000
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