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晶体管
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FDD120AN15A0

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库存：5,601(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.6049
7.6049
10
¥6.4749
64.749
100
¥4.972
497.2
500
¥4.3844
2192.2
1,000
¥3.4691
3469.1
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
14 A
Rds On-漏源导通电阻
120 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
65 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FDD120AN15A0
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
FDD120AN15A0_NL
单位重量
260 mg
商品其它信息
优势价格，FDD120AN15A0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRF6795MTRPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 35nC
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2264
4,800:¥6.1585
9,600:查看
参考库存:9691
STGF10NC60KD
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 PowerMESH&#34 IGBT
1:¥9.4468
10:¥8.0682
100:¥6.2037
500:¥5.4805
参考库存:5021
TP2535N3-G
Microchip Technology
晶体管
MOSFET 350V 25Ohm
1:¥9.9892
10:¥9.831
25:¥8.2942
100:¥7.5145
参考库存:6404
IRF6217TRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -150V -0.7A 2400mOhm 6nC
1:¥4.8364
10:¥4.0228
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
4,000:¥1.6159
参考库存:18321
CSD18537NQ5A
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET
1:¥6.9947
10:¥5.8421
100:¥3.7516
1,000:¥3.0058
2,500:¥2.7233
参考库存:11237
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