您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
STGFW20H65FB参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

STGFW20H65FB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:4,431(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥29.041
29.041
10
¥24.6679
246.679
100
¥21.357
2135.7
250
¥20.2835
5070.875
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PF
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
52 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGFW20H65FB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
20 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
7 g
商品其它信息
优势价格,STGFW20H65FB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified
1:¥12.2944
10:¥10.2152
100:¥7.91
500:¥6.9382
1,000:¥5.7517
3,000:¥5.7517
参考库存:45995
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN SOT-23 100kO Input Resist
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:41733
晶体管
MOSFET N-Channel Power Mosfet
1:¥3.2318
10:¥2.6781
100:¥1.6272
1,000:¥1.2656
3,000:¥1.07576
参考库存:12618
晶体管
MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥13.2888
10:¥11.30
100:¥9.0626
500:¥7.91
3,000:¥6.0907
6,000:查看
参考库存:8205
晶体管
MOSFET N-channel 60 V, 0.019 Ohm typ., 7 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 package
1:¥4.9946
10:¥4.1471
100:¥2.5312
1,000:¥2.0001
3,000:¥1.695
参考库存:9565
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-82813018

手机:19129911934

传真:0755-83267787

Email: Ruby@yichuanghui.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82813018

微信联系我们 微信扫码联系我们