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晶体管
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2N6551

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 120Vcbo 60Vceo 6.0Vebo
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数量单价合计
1
¥37.8776
37.8776
10
¥33.8096
338.096
100
¥30.8151
3081.51
250
¥27.8206
6955.15
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-202-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1 V
最大直流电集电极电流
2 A
增益带宽产品fT
375 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N6551
直流电流增益 hFE 最大值
300 at 50 mA, 1 V
封装
Bulk
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
25 at 500 mA, 1 V
Pd-功率耗散
10 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
零件号别名
2N6551 PBFREE
商品其它信息
优势价格，2N6551的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FS35R12KE3G
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1200V 35A 3-PHASE
1:¥562.9321
5:¥552.6378
10:¥538.3433
25:¥527.7326
参考库存:42782
STD7NS20T4
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 200 Volt 7 Amp
1:¥9.2999
10:¥7.91
100:¥6.0681
500:¥5.3675
2,500:¥3.7629
10,000:查看
参考库存:5437
RJH1CM7DPQ-E0#T2
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥53.788
10:¥47.9459
25:¥43.1886
50:¥41.2676
参考库存:42787
DTA144ECA-TP
Micro Commercial Components (MCC)
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Sgle PNP, -100mA
3,000:¥0.29945
9,000:¥0.25312
24,000:¥0.23843
45,000:¥0.22261
99,000:¥0.20001
参考库存:42790
BC 846S H6727
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥2.7685
10:¥1.921
100:¥0.79891
1,000:¥0.54579
3,000:¥0.43053
参考库存:42793
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