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晶体管
RN2102,LF(CT参考图片

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RN2102,LF(CT

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor with Built-in Transistor
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数量单价合计
1
¥1.695
1.695
10
¥1.06785
10.6785
100
¥0.44522
44.522
1,000
¥0.30736
307.36
3,000
¥0.23052
691.56
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-70-3
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 50 V
Pd-功率耗散
100 mW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
RN2102CT
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
- 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 10 V
商标
Toshiba
最大直流电集电极电流
- 100 mA
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
6.200 mg
商品其它信息
优势价格,RN2102,LF(CT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP General Purpose Amplification Transistor
1:¥1.2317
10:¥1.09158
100:¥0.3842
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:6485
晶体管
MOSFET N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3
1:¥2.9154
10:¥2.034
100:¥0.84524
1,000:¥0.5763
3,000:¥0.45313
参考库存:15326
晶体管
MOSFET 12V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥22.7469
10:¥18.9049
100:¥15.5262
250:¥15.0629
3,000:¥15.0629
参考库存:9159
晶体管
MOSFET 60V Single N-Channel Trench MOSFET
1:¥1.921
10:¥1.3108
100:¥0.54579
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29154
参考库存:15494
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3
1:¥8.9157
10:¥7.6727
100:¥5.8986
500:¥5.198
1,000:¥4.1132
参考库存:4395
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