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晶体管
BD13610S参考图片

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BD13610S

  • ON Semiconductor / Fairchild
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
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数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.938
29.38
100
¥1.7854
178.54
1,000
¥1.3786
1378.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-126-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 45 V
集电极—基极电压 VCBO
- 45 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 500 mV
最大直流电集电极电流
- 1.5 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD136
直流电流增益 hFE 最大值
250
高度
11 mm
长度
8 mm
封装
Bulk
宽度
3.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
- 1.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
Pd-功率耗散
12.5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
单位重量
761 mg
商品其它信息
优势价格,BD13610S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥1.6159
10:¥1.09836
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.24634
参考库存:19544
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 500MA
1:¥2.9154
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
参考库存:4681
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥2.9945
10:¥2.147
100:¥0.99101
1,000:¥0.76049
3,000:¥0.64523
参考库存:6555
晶体管
MOSFET 2.5A Output Current GateDrive Optocopler
1:¥6.4523
10:¥5.3901
100:¥3.4804
1,000:¥2.7798
2,500:¥2.3391
参考库存:2577
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DIGIT NPN 50V 500MA
1:¥2.9154
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
参考库存:2560
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