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晶体管
PTFB193404F-V1-R250参考图片

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PTFB193404F-V1-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存:31,104(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥1,281.0019
320250.475
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
增益
19 dB
输出功率
340 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37275-6/2
封装
Reel
工作频率
1930 MHz to 1990 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格,PTFB193404F-V1-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.65mOhm 100A
1:¥16.8257
10:¥14.2945
100:¥11.4469
500:¥9.9892
参考库存:4357
晶体管
MOSFET N+P 30 20V 1A
1:¥4.9946
10:¥4.1132
100:¥2.5086
1,000:¥1.9323
3,000:¥1.6498
参考库存:5297
晶体管
MOSFET MOSFT 20V 4.1A 46mOhm 2.5V cpbl
1:¥2.9945
10:¥2.1244
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.63732
参考库存:15234
晶体管
MOSFET SO-8
1:¥11.6842
10:¥9.9892
100:¥7.684
500:¥6.8026
1,000:¥5.3675
2,500:¥5.1189
参考库存:6195
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1019N/PLD4L///REEL 7
1:¥586.8994
5:¥569.7686
10:¥557.5533
25:¥534.1962
参考库存:2667
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