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晶体管
MUN5114DW1T1G参考图片

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MUN5114DW1T1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT Dual PNP
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数量单价合计
1
¥1.921
1.921
10
¥1.3108
13.108
100
¥0.5537
55.37
1,000
¥0.37629
376.29
3,000
¥0.29154
874.62
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
是
配置
Dual
晶体管极性
PNP
典型输入电阻器
10 kOhms
典型电阻器比率
0.21
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-88-6
直流集电极/Base Gain hfe Min
80
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
- 0.1 A
峰值直流集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
250 mW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MUN5114DW1
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
80 at 5 mA at 10 V
高度
0.9 mm
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
商标
ON Semiconductor
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
6.200 mg
商品其它信息
优势价格，MUN5114DW1T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NIC9N05ATS1
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET 9 A 52 V N-CHANNEL DIE
1:¥18.5998
10:¥15.7522
100:¥12.5995
500:¥11.0627
参考库存:25422
RN2116,LF(CT
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:25425
PUMB14,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DOUBLE RET
1:¥2.6894
10:¥1.8758
100:¥0.78422
1,000:¥0.53788
3,000:¥0.42262
参考库存:25428
TK10A55D(STA4,Q,M)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch 500V VDSS 700V 45W 1200pF 10A
1:¥17.7523
10:¥14.2945
100:¥11.4469
500:¥10.0683
参考库存:25431
TP2635N3-G P003
Microchip Technology
晶体管
MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥9.0626
10:¥8.3733
25:¥6.9947
100:¥6.3054
250:¥5.876
2,000:¥5.876
参考库存:25434
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