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晶体管
IGW40N65H5参考图片

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IGW40N65H5

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
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数量单价合计
1
¥28.2048
28.2048
10
¥23.9786
239.786
100
¥20.7468
2074.68
250
¥19.6733
4918.325
500
¥17.6732
8836.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
74 A
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 H5
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW40N65H5FKSA1 SP001001742
单位重量
6.054 g
商品其它信息
优势价格,IGW40N65H5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms 170nC
1:¥17.2099
10:¥14.5996
100:¥11.6842
500:¥10.2152
800:¥8.4524
参考库存:23293
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL PBRT
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
8,000:¥0.66896
24,000:查看
参考库存:23296
晶体管
MOSFET NCH 30V 30A WLCSP6 DUAL N-CHAN
1:¥7.3789
10:¥6.2376
100:¥4.7912
500:¥4.2375
5,000:¥2.9606
10,000:查看
参考库存:23299
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805-1995 MHz, 63 W AVG., 28 V
1:¥1,080.5964
5:¥1,059.6236
10:¥1,024.6614
25:¥981.2468
参考库存:23302
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
1:¥1.1526
10:¥1.01474
100:¥0.3616
1,000:¥0.23843
10,000:¥0.16159
20,000:查看
参考库存:23305
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