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晶体管
BSD840NH6327XT参考图片

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BSD840NH6327XT

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库存:6,608(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.4521
24.521
100
¥1.13
113
1,000
¥0.86784
867.84
3,000
¥0.73789
2213.67
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
880 mA
Rds On-漏源导通电阻
270 mOhms, 270 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
300 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
260 pC, 260 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
2 mm
系列
BSD840
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
2.5 S, 2.5 S
下降时间
900 ps, 900 ps
产品类型
MOSFET
上升时间
2.2 ns, 2.2 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7.8 ns, 7.8 ns
典型接通延迟时间
1.9 ns, 1.9 ns
零件号别名
BSD840NH6327XTSA1 SP000917654
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格,BSD840NH6327XT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 620A
1:¥1,056.776
5:¥1,036.0292
10:¥987.6991
25:¥966.9523
参考库存:3991
晶体管
MOSFET 200V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥10.7576
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.8195
2,500:¥5.8195
参考库存:6442
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DGTL NPN 50V 100MA
1:¥3.616
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
8,000:¥0.52206
24,000:查看
参考库存:12014
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 22K
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:14297
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 50A TO220-3
1:¥11.30
10:¥9.6841
100:¥7.4467
500:¥6.5766
1,000:¥5.198
参考库存:4887
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