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晶体管
BSD840NH6327XT参考图片

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BSD840NH6327XT

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库存:6,608(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.4521
24.521
100
¥1.13
113
1,000
¥0.86784
867.84
3,000
¥0.73789
2213.67
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
880 mA
Rds On-漏源导通电阻
270 mOhms, 270 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
300 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
260 pC, 260 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
2 mm
系列
BSD840
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
2.5 S, 2.5 S
下降时间
900 ps, 900 ps
产品类型
MOSFET
上升时间
2.2 ns, 2.2 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7.8 ns, 7.8 ns
典型接通延迟时间
1.9 ns, 1.9 ns
零件号别名
BSD840NH6327XTSA1 SP000917654
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格,BSD840NH6327XT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V Double NPN Switching Transistor
1:¥2.6103
10:¥1.8306
100:¥0.76049
1,000:¥0.52206
3,000:¥0.4068
参考库存:7663
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms
1:¥19.6733
10:¥16.6788
100:¥13.3679
500:¥11.6842
参考库存:5089
晶体管
MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 1.7mOhms
1:¥49.3358
10:¥41.8778
100:¥36.3408
250:¥34.4198
参考库存:5159
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 30MA
1:¥3.3787
10:¥2.3504
100:¥1.08367
1,000:¥0.82942
8,000:¥0.64523
24,000:查看
参考库存:11716
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥51.9461
10:¥46.9515
25:¥44.7254
100:¥38.8042
参考库存:4790
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