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晶体管
STGP3NC120HD参考图片

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STGP3NC120HD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 7A 1200 V Very Fast IGBT Power Bipolar
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库存:1,763(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.5204
12.5204
10
¥10.5994
105.994
100
¥8.5315
853.15
500
¥7.4354
3717.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—射极饱和电压
2.2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
14 A
Pd-功率耗散
75 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGP3NC120HD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
14 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,STGP3NC120HD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A
1:¥9.5259
10:¥8.1473
100:¥6.2828
500:¥5.5596
1,000:¥4.3844
2,500:¥4.3844
参考库存:6831
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥14.9838
10:¥12.7577
100:¥10.2152
500:¥8.9157
1,000:¥7.3789
参考库存:5418
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 1.3 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥14.4414
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
参考库存:4634
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥54.5564
10:¥49.3358
25:¥47.0306
100:¥40.8834
参考库存:4942
晶体管
MOSFET HIGH POWER_PRC/PRFRM
1:¥22.1254
10:¥18.8258
100:¥16.2946
250:¥15.4471
500:¥13.8312
参考库存:5030
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