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晶体管
DMN53D0L-7参考图片

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DMN53D0L-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs
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数量单价合计
1
¥2.6103
2.6103
10
¥1.8306
18.306
100
¥0.76049
76.049
1,000
¥0.52206
522.06
3,000
¥0.4068
1220.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
500 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
1.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
360 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN53
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18.9 ns
典型接通延迟时间
2.7 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FCPF360N65S3R0L
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参考库存:29255
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