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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Nexperia
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	2.2 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TSOP-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	220
集电极—发射极最大电压 VCEO	- 20 V
集电极连续电流	- 1.8 A
峰值直流集电极电流	- 3 A
Pd-功率耗散	370 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	30
发射极 - 基极电压 VEBO	- 5 V
高度	1 mm
长度	3.1 mm
宽度	1.7 mm
商标	Nexperia
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格	AEC-Q101
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors

商品其它信息

优势价格，PBLS2021D,115的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SI7868ADP-T1-E3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 20V 40A 83W	1:¥24.2046 10:¥20.0575 3,000:¥20.0575	参考库存:3534
STD13NM60N	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp Power MDmesh	1:¥14.1363 10:¥11.9893 100:¥9.605 500:¥8.3733 2,500:¥6.5088 5,000:查看	参考库存:12647
SI4922BDY-T1-E3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET DUAL N-CH 30V(D-S)	1:¥12.3735 10:¥10.2943 100:¥7.91 500:¥6.9834 1,000:¥5.7856 2,500:¥5.7856	参考库存:4376
IRFB3206PBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg	1:¥15.5262 10:¥13.1419 100:¥10.5316 500:¥9.2208 1,000:¥7.6614	参考库存:3156
ISL9V5045S3ST-F085	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 500mJ, 450V EcoSPARK N-Chan Ignition IGBT	1:¥24.2046 10:¥20.5208 100:¥17.8314 250:¥16.9048 800:¥12.7577 2,400:查看	参考库存:4134