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晶体管
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FDI9409-F085

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数量单价合计
1
¥15.0629
15.0629
10
¥12.7577
127.577
100
¥10.2152
1021.52
500
¥8.9948
4497.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
6.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
43 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
94 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
PowerTrench
封装
Tube
高度
7.88 mm
长度
10.29 mm
系列
FDI9409_F085
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.83 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
90 ns
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
FDI9409_F085
单位重量
2.084 g
商品其它信息
优势价格，FDI9409-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DCX114EU-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP NPN/PNP 200mW
1:¥3.1527
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:7349
UML2NTR
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V .15A
1:¥2.9945
10:¥2.0792
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.62263
参考库存:5599
MSD42T1G
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS XSTR HV 300V TR
1:¥1.695
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.25312
参考库存:12643
2N5885
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Power SW
1:¥53.788
10:¥53.3247
25:¥48.5674
100:¥43.7988
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APT48M80B2
Microsemi
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS8
1:¥156.3694
5:¥149.3747
10:¥144.6852
25:¥132.9332
参考库存:2442
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