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晶体管
IKW50N65WR5XKSA1参考图片

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IKW50N65WR5XKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 The reverse conducting TRENCHSTOP 5 WR5 IGBT was specifically optimized for full rated hard switching turn off typically found in Welding inverter application. Excellent price/performance ratio of WR5 IGBT allows access to the high performance techno
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数量单价合计
1
¥37.7307
37.7307
10
¥32.0468
320.468
100
¥27.7415
2774.15
250
¥26.3516
6587.9
500
¥23.6622
11831.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.4 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
282 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 WR5
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW50N65WR5 SP001215522
商品其它信息
优势价格,IKW50N65WR5XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 410nC
1:¥42.488
10:¥36.1148
100:¥31.2784
250:¥29.7416
500:¥26.668
参考库存:6563
晶体管
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC
1:¥8.9157
10:¥7.6727
100:¥5.8986
500:¥5.198
1,000:¥4.1132
2,000:¥4.1132
参考库存:6221
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 21A 3.6mOhm 40nC
1:¥8.4524
10:¥7.2659
100:¥5.5822
500:¥4.9381
1,000:¥3.8985
4,000:¥3.8985
参考库存:12990
晶体管
MOSFET TRENCH_MOSFETS
1:¥16.9048
10:¥14.3736
100:¥11.526
500:¥10.0683
800:¥8.3733
参考库存:7854
晶体管
MOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet
1:¥8.2942
10:¥7.1303
100:¥5.4805
500:¥4.8364
2,000:¥3.39
10,000:查看
参考库存:15415
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