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晶体管
MUN5212DW1T1G参考图片

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MUN5212DW1T1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT Dual NPN
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库存:18,105(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1.921
1.921
10
¥1.3108
13.108
100
¥0.5537
55.37
1,000
¥0.37629
376.29
3,000
¥0.29154
874.62
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Dual
晶体管极性
NPN
典型输入电阻器
22 kOhms
典型电阻器比率
1
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
0.1 A
峰值直流集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
187 mW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MUN5212DW1
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
60 at 5 mA at 10 V
高度
0.9 mm
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
商标
ON Semiconductor
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
12 mg
商品其它信息
优势价格,MUN5212DW1T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SO-8
1:¥11.9102
10:¥10.1474
100:¥8.1473
500:¥7.0738
2,500:¥5.4579
5,000:查看
参考库存:8397
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥576.30
10:¥480.25
25:¥432.225
50:¥384.20
参考库存:4422
晶体管
IGBT 晶体管 40A/600V/ IGBT
1:¥21.8994
10:¥18.5998
100:¥14.9047
500:¥12.9837
1,000:¥10.7576
参考库存:5063
晶体管
MOSFET N-CH DMOS 240V 375MA
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,000:¥1.3334
参考库存:11964
晶体管
MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET
1:¥20.5208
10:¥17.063
100:¥13.221
500:¥11.6051
1,000:¥9.605
参考库存:5553
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