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晶体管
2N7000BU参考图片

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2N7000BU

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 60V N-Channel Sm Sig
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库存:10,089(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥1.9662
19.662
100
¥0.84524
84.524
1,000
¥0.65314
653.14
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
200 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
400 mW
配置
Single
封装
Bulk
高度
5.33 mm
长度
5.2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
2N7000
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.19 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
0.1 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
2N7000BU_NL
单位重量
179 mg
商品其它信息
优势价格,2N7000BU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥6.8365
10:¥5.7178
100:¥3.6838
1,000:¥2.9493
3,000:¥2.4973
参考库存:3933
晶体管
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-220AB
1:¥39.7986
10:¥32.9621
100:¥27.12
250:¥26.2838
参考库存:2343
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT563 GP XSTR PNP 40V
1:¥2.9945
10:¥2.2487
100:¥1.2204
1,000:¥0.91417
4,000:¥0.791
8,000:¥0.73789
参考库存:21066
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥42.1829
10:¥35.8888
100:¥31.1202
250:¥29.5043
500:¥26.4307
参考库存:2012
晶体管
MOSFET 40V 100A N-Chnl Pwr Trench MOSFET
1:¥14.3736
10:¥12.2153
100:¥9.7632
500:¥8.5315
2,500:¥6.5992
5,000:查看
参考库存:6406
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