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晶体管
2N7000BU参考图片

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2N7000BU

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 60V N-Channel Sm Sig
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库存:10,089(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥1.9662
19.662
100
¥0.84524
84.524
1,000
¥0.65314
653.14
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
200 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
400 mW
配置
Single
封装
Bulk
高度
5.33 mm
长度
5.2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
2N7000
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.19 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
0.1 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
2N7000BU_NL
单位重量
179 mg
商品其它信息
优势价格,2N7000BU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 240A
1:¥911.4015
5:¥893.491
10:¥851.8505
25:¥833.94
参考库存:2855
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
1:¥13.5261
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
1,500:¥6.2376
4,500:查看
参考库存:3087
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥33.6514
10:¥28.589
100:¥24.747
250:¥23.5153
参考库存:3777
晶体管
MOSFET 40V Vds 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥9.2208
10:¥7.6275
100:¥5.8421
500:¥5.0285
3,000:¥3.7064
6,000:查看
参考库存:7851
晶体管
MOSFET N-CHAN 40V 32A
1:¥3.842
10:¥3.1979
100:¥1.9549
1,000:¥1.5029
1,500:¥1.5029
参考库存:4359
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