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晶体管
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2SD2670TL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 12V 3A
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数量单价合计
1
¥3.9211
3.9211
10
¥3.2205
32.205
100
¥1.9662
196.62
1,000
¥1.5255
1525.5
3,000
¥1.2995
3898.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
集电极—基极电压 VCBO
15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
360 MHz
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
270 at 500 mA, 2 V
高度
0.85 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.6 mm
商标
ROHM Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
270
Pd-功率耗散
1000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
2SD2670
商品其它信息
优势价格，2SD2670TL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
QPD1008L
Qorvo
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
1:¥1,536.80
25:¥1,329.332
参考库存:2820
DMP3056L-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 30V P-Ch Enh Mode 50mOhm -10Vgs -4.3A
1:¥2.9154
10:¥2.2487
100:¥1.2204
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.791
9,000:¥0.73789
参考库存:70031
IPB80N06S2LH5ATMA4
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
1:¥19.5151
10:¥16.5997
100:¥13.2888
500:¥11.6051
1,000:¥9.605
参考库存:3786
STL12N60M2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.400 Ohm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 HV package
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.4015
3,000:¥5.7065
6,000:查看
参考库存:4678
IFS150B12N3E4P_B11
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,570.0672
5:¥1,532.2687
10:¥1,494.2329
25:¥1,473.2488
参考库存:2801
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