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晶体管
STGFW30H65FB参考图片

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STGFW30H65FB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed
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库存:40,138(价格仅供参考)
数量单价合计
600
¥15.6731
9403.86
1,200
¥13.221
15865.2
3,000
¥12.5204
37561.2
5,400
¥12.0684
65169.36
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PF
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
58 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGFW30H65FB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
30 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
7 g
商品其它信息
优势价格,STGFW30H65FB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥8.6106
10:¥7.345
100:¥5.6387
500:¥4.9833
5,000:¥3.4917
10,000:查看
参考库存:11126
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SC88 BR XSTR DUAL
1:¥3.6838
10:¥2.5877
100:¥1.1865
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.77631
参考库存:34295
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Voltage
1:¥3.4578
10:¥2.9154
100:¥1.7854
1,000:¥1.3786
2,000:¥1.1752
参考库存:90512
晶体管
MOSFET SuperFET2 800V
1:¥62.8506
10:¥56.8616
25:¥54.1722
100:¥47.0306
参考库存:2188
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥32.2728
10:¥25.9674
100:¥23.6622
250:¥21.357
参考库存:2421
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