您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
T1G4012036-FS参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

T1G4012036-FS

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 36Volt GaN 120 Watt Peak
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:40,152(价格仅供参考)
数量单价合计
暂无价格,请联系询价
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
18.4 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
36 V
Id-连续漏极电流
12 A
最大漏极/栅极电压
- 2.9 V
Pd-功率耗散
117 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Tray
工作频率
3.3 GHz
产品
GaN RF Power Transistors
系列
T1G
类型
GaN SiC HEMT
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
零件号别名
1096026
商品其它信息
优势价格,T1G4012036-FS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp
1:¥31.9677
10:¥27.1991
100:¥23.5944
250:¥22.3627
500:¥20.0575
参考库存:2819
晶体管
MOSFET 60V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥13.8312
10:¥11.4469
100:¥8.9157
500:¥7.7631
3,000:¥6.0229
6,000:查看
参考库存:7939
晶体管
IGBT 模块 IGBT MODULE HALF BRG 50A 1700V
1:¥883.2758
5:¥865.9077
10:¥825.4876
25:¥808.1986
参考库存:1950
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
1:¥155.6801
10:¥141.5438
25:¥130.9331
50:¥123.7915
参考库存:34116
晶体管
MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
1:¥31.8886
10:¥27.0522
100:¥23.4362
250:¥22.2836
参考库存:2446
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-82865099

手机:19129491934

传真:0755-83267787

Email: sunny@yichuanghui.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82865099

微信联系我们 微信扫码联系我们