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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	22 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	VMT-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	60
最大工作频率	250 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	-
集电极连续电流	- 100 mA
峰值直流集电极电流	- 100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	-
最大工作温度	+ 150 C
系列	DTA024EM
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	-
输出电压	- 70 mV
商标	ROHM Semiconductor
最大直流电集电极电流	- 100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors
零件号别名	DTA024EM

商品其它信息

优势价格，DTA024EMT2L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
ADTC114YUAQ-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor	10,000:¥0.23843 30,000:¥0.22261 50,000:¥0.20792	参考库存:34030
SUM60N04-06T-E3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 40V 60A 200W w/Sensing Diode	800:¥14.2945 2,400:¥13.5261 4,800:¥13.0628	参考库存:34033
SIHW23N60E-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS	480:¥19.5942 960:¥17.5941	参考库存:34036
IPD65R950CFDATMA2	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther	2,500:¥3.4917 10,000:¥3.3561 25,000:¥3.2544	参考库存:34039
SI5443DC-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 20V 4.9A 2.5W 65mohm @ 4.5V	3,000:¥4.1923 6,000:¥3.9889 9,000:¥3.842 24,000:¥3.7177	参考库存:34042