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晶体管

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STGFW40V60F

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
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库存:1,668(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥37.5725
37.5725
10
¥31.9677
319.677
100
¥27.6624
2766.24
250
¥26.2838
6570.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PF
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
62.5 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGFW40V60F
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
7 g
商品其它信息
优势价格,STGFW40V60F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V 190A 3.9 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET
1:¥38.1149
10:¥32.3519
100:¥28.0466
250:¥26.5889
800:¥20.1366
2,400:查看
参考库存:5155
晶体管
MOSFET SF2 650V 150MOHM F TO247L
1:¥29.5834
10:¥25.1312
100:¥21.8203
250:¥20.6677
参考库存:4476
晶体管
MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET I-PAK
1:¥6.5314
10:¥5.198
参考库存:4579
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT 20A, 450V NCHANNEL
1:¥12.9046
10:¥10.4525
100:¥8.3733
500:¥6.4184
800:¥6.4071
参考库存:5035
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 100A I2PAK-3
1:¥13.9894
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2942
参考库存:4548
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