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晶体管
AFT18P350-4S2LR6参考图片

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AFT18P350-4S2LR6

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AIRFAST 1.8-2.0GHZ C
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数量单价合计
150
¥1,151.7525
172762.875
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
16.1 dB
输出功率
63 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230-4
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
系列
AFT18P350_4S2L
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
1.2 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.9 V
零件号别名
935317727128
单位重量
8.518 g
商品其它信息
优势价格，AFT18P350-4S2LR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PMP4501Y,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) MATCHED PAIR
1:¥2.9945
10:¥2.3391
100:¥1.2656
1,000:¥0.95259
3,000:¥0.82264
参考库存:6309
BSS138W
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 50V N-CH Logic Level
1:¥3.3787
10:¥2.2035
100:¥0.94468
1,000:¥0.72207
3,000:¥0.54579
参考库存:130020
APT13GP120BDQ1G
Microsemi
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IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
1:¥67.009
10:¥60.3194
25:¥54.9406
50:¥51.1777
参考库存:1152
2PC4081R,135
Nexperia
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-11
1:¥1.695
10:¥1.12209
100:¥0.46895
1,000:¥0.32318
2,500:¥0.25312
10,000:¥0.2147
参考库存:9451
MJF2955G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 10A 90V 30W PNP
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.5258
500:¥6.6557
参考库存:1258
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