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晶体管
AFT18P350-4S2LR6参考图片

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AFT18P350-4S2LR6

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AIRFAST 1.8-2.0GHZ C
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数量单价合计
150
¥1,151.7525
172762.875
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
16.1 dB
输出功率
63 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230-4
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
系列
AFT18P350_4S2L
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
1.2 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.9 V
零件号别名
935317727128
单位重量
8.518 g
商品其它信息
优势价格，AFT18P350-4S2LR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NSS1C201LT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 100V LOW V-SAT SOT23
1:¥3.2996
10:¥2.486
100:¥1.356
1,000:¥1.01474
3,000:¥0.87575
9,000:¥0.81473
参考库存:13838
BCX56-10,135
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80V 1A NPN MED POWER TRANSISTOR
1:¥3.616
10:¥2.5651
100:¥1.1752
1,000:¥0.90626
4,000:¥0.7684
参考库存:3935
BSP295 H6327
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
参考库存:3975
IRFR4105TRPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 22.7nC
1:¥6.9156
10:¥5.9212
100:¥4.5539
500:¥4.0228
1,000:¥3.1753
2,000:¥3.1753
参考库存:1994
DMN2300UFD-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1212-3,3K
1:¥2.7685
10:¥2.1244
100:¥1.1526
1,000:¥0.86784
3,000:¥0.7458
9,000:¥0.69947
参考库存:16624
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