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晶体管
AFT18P350-4S2LR6参考图片

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AFT18P350-4S2LR6

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AIRFAST 1.8-2.0GHZ C
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数量单价合计
150
¥1,151.7525
172762.875
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
16.1 dB
输出功率
63 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230-4
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
系列
AFT18P350_4S2L
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
1.2 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.9 V
零件号别名
935317727128
单位重量
8.518 g
商品其它信息
优势价格,AFT18P350-4S2LR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 US6-PLN
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.63054
1,000:¥0.43053
3,000:¥0.32318
参考库存:15752
晶体管
JFET JFET N-Channel -30V 1.8W 10mW 50mA
758:¥8.9157
1,000:¥7.3563
2,500:¥6.5992
10,000:¥6.3393
参考库存:15755
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) General Purpose Transistor
1:¥1.8419
10:¥1.2543
100:¥0.52206
1,000:¥0.3616
参考库存:10358
晶体管
MOSFET 20V Dual P-Ch Enh 12Vgs -1.4W 884pF
暂无价格
参考库存:15760
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode Fet 30V 25Vgss 1.0W
1:¥3.0736
10:¥2.5764
100:¥1.5707
1,000:¥1.2204
2,000:¥1.03734
参考库存:3563
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