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晶体管
NTHD4102PT1G参考图片

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NTHD4102PT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET -20V -4.1A Dual P-Channel
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库存:26,126(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.8928
28.928
100
¥1.7628
176.28
1,000
¥1.356
1356
3,000
¥1.1639
3491.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ChipFET-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
4.1 A
Rds On-漏源导通电阻
120 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
600 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.05 mm
长度
3.05 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NTHD4102P
晶体管类型
2 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.65 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
7 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
5.5 ns
单位重量
85 mg
商品其它信息
优势价格,NTHD4102PT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-CH -100V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥9.0626
10:¥7.458
100:¥5.7291
3,000:¥5.7291
参考库存:6351
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥388.8895
5:¥375.8267
10:¥363.6114
25:¥336.2541
参考库存:3425
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual U-Mini Schottky 40Vrrm 200If 250mW
1:¥3.2996
10:¥2.3843
100:¥1.3673
1,000:¥0.99892
3,000:¥0.86106
参考库存:12080
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 50V 0.15A
1:¥1.695
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:6638
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
1:¥24.747
10:¥21.0519
100:¥18.2156
250:¥17.289
参考库存:3955
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