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晶体管
EFC6612R-TF参考图片

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EFC6612R-TF

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET NCH+NCH 23A 20V 4.4M OHM
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库存:7,200(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.3788
53.788
100
¥4.1358
413.58
500
¥3.6612
1830.6
5,000
¥2.5538
12769
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
CSP-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Rds On-漏源导通电阻
4.2 mOhms, 4.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
27 nC, 27 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
EFC6612R
晶体管类型
2 N-channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
4.7 S, 4.7 S
下降时间
92 us, 92 us
产品类型
MOSFET
上升时间
640 ns, 640 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11.8 us, 11.8 us
典型接通延迟时间
30 ns, 30 ns
商品其它信息
优势价格,EFC6612R-TF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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