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晶体管
BSC077N12NS3GATMA1参考图片

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BSC077N12NS3GATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 120V 98A TDSON-8 OptiMOS 3
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库存:13,484(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.2891
19.2891
10
¥16.4415
164.415
100
¥13.1419
1314.19
500
¥11.4469
5723.45
1,000
¥9.5259
9525.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Id-连续漏极电流
98 A
Rds On-漏源导通电阻
7.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
66 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
139 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
40 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
BSC077N12NS3 BSC77N12NS3GXT G SP000652750
商品其它信息
优势价格,BSC077N12NS3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 600V Warp2 150kHz
1:¥48.7934
10:¥44.1039
25:¥42.036
100:¥36.499
参考库存:3008
晶体管
IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz
1:¥26.4307
10:¥22.4418
100:¥19.436
250:¥18.4416
参考库存:2544
晶体管
MOSFET N-Ch 60 Volt 55 Amp
1:¥8.6106
10:¥7.3111
100:¥5.6274
500:¥4.972
参考库存:5866
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥78.6028
10:¥71.077
25:¥67.7774
100:¥58.8617
参考库存:2900
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥4.068
10:¥3.4013
100:¥2.0792
1,000:¥1.6046
2,000:¥1.3673
参考库存:3086
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