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晶体管
C3M0065090D参考图片

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C3M0065090D

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
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数量单价合计
1
¥76.6818
76.6818
100
¥73.9246
7392.46
500
¥70.3086
35154.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
36 A
Rds On-漏源导通电阻
90 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
18 V, - 8 V
Qg-栅极电荷
30.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
产品
Power MOSFET
类型
Silicon Carbide MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
11.6 S
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
36 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns
典型接通延迟时间
21 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PUMH9,165
Nexperia
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双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET DOUBLE
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IPI600N25N3 G
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