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晶体管
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IFND89

  • InterFET
  • 新批次
  • JFET Dual JFET N-Ch -20V 50mA 400mW 2.3mW
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数量单价合计
1
¥17.063
17.063
10
¥13.8312
138.312
100
¥11.0627
1106.27
500
¥9.6841
4842.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
InterFET
产品种类
JFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-70-5
晶体管极性
N-Channel
配置
Single
Vds-漏源极击穿电压
3.3 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 15 V
Vgs=0时的漏-源电流
1 mA
Id-连续漏极电流
1 uA
Rds On-漏源导通电阻
3 kOhms
Pd-功率耗散
250 mW
系列
IFND89
封装
Bulk
类型
JFET
商标
InterFET
正向跨导 - 最小值
600 uS
闸/源截止电压
- 900 mV
工厂包装数量
1
单位重量
20 mg
商品其它信息
优势价格,IFND89的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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