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晶体管
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FCB290N80

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数量单价合计
1
¥26.5098
26.5098
10
¥22.5096
225.096
100
¥19.5151
1951.51
250
¥18.5207
4630.175
500
¥16.5997
8299.85
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
290 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, 30 V
Qg-栅极电荷
58 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
212 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperFET II
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
FCB290N80
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
20 S
下降时间
2.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
61 ns
典型接通延迟时间
22 ns
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格，FCB290N80的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC807-40LR
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC807L_BC807LW - 45 V, 500 mA PNP general-purpose transistors
1:¥0.99892
10:¥0.89157
100:¥0.31527
1,000:¥0.2147
参考库存:19381
DMP3008SFG-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 3K
暂无价格
参考库存:19384
IPL60R104C7AUMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥42.036
10:¥35.7306
100:¥30.962
250:¥29.3574
3,000:¥21.0519
参考库存:19387
NTMFS4C09NT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 52A 5.8MOH
1:¥4.8364
10:¥4.0002
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
5,000:¥1.6046
参考库存:19390
IFN112
InterFET
晶体管
JFET N-Ch -50Vgss -1.2Vgs 10mA 360mW 2.88mW
100:¥65.7773
250:¥59.9352
500:¥56.0932
1,000:¥51.4037
参考库存:19393
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