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晶体管
SISA96DN-T1-GE3参考图片

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SISA96DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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库存：7,144(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.6668
26.668
100
¥1.9775
197.75
500
¥1.6272
813.6
3,000
¥1.1413
3423.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
16 A
Rds On-漏源导通电阻
7.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, - 16 V
Qg-栅极电荷
31 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
26.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIS
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
70 S
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
47 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
12 ns
商品其它信息
优势价格，SISA96DN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N5151L
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥127.8595
250:¥116.5708
500:¥109.0337
参考库存:39114
BSM100GD120DLC
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1200V 100A 3-PHASE
10:¥1,810.2713
30:¥1,784.9141
参考库存:39117
RM150N60HD-T
Rectron
晶体管
MOSFET D2-PAK MOSFET
1,600:¥6.328
2,400:¥5.4353
4,800:¥4.9607
9,600:¥4.5313
参考库存:39120
MV2N4860UB
Microsemi
晶体管
JFET JFET
100:¥741.4269
参考库存:39123
2N3637UB/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥105.429
200:¥96.1291
500:¥89.9819
1,000:¥82.5239
参考库存:39126
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