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晶体管
FCU360N65S3R0参考图片

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FCU360N65S3R0

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
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数量单价合计
1
¥8.6106
8.6106
10
¥7.3789
73.789
100
¥5.6613
566.13
500
¥5.0059
2502.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
IPAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
360 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
18 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
SuperFET3
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
6 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
1800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
34 ns
典型接通延迟时间
12 ns
商品其它信息
优势价格,FCU360N65S3R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS DOUBLE TAPE-7
1:¥3.3787
10:¥2.1696
100:¥0.92999
1,000:¥0.71416
4,000:¥0.54579
参考库存:43420
CEL
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
1:¥12.2153
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.1472
10,000:¥4.7121
参考库存:8600
晶体管
MOSFET N-channel 30 V 2 mo FET
1:¥9.6841
10:¥8.2942
100:¥6.3732
500:¥5.6274
1,000:¥4.4522
1,500:¥4.4522
参考库存:7491
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR TRANSISTOR
1:¥24.8148
10:¥21.131
100:¥18.2834
250:¥17.3681
2,500:¥12.5204
5,000:查看
参考库存:6368
晶体管
MOSFET P-Chan 60V 18 Amp
1:¥13.8312
10:¥11.2209
100:¥10.0683
500:¥7.8422
1,000:¥6.5201
参考库存:4847
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