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晶体管
IPD50P04P413ATMA1参考图片

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IPD50P04P413ATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -40V -50A DPAK-2 OptiMOS-P2
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库存:2,188(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9947
6.9947
10
¥5.989
59.89
100
¥4.5991
459.91
500
¥4.068
2034
2,500
¥2.8476
7119
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
12.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
39 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
58 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
XPD50P04
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
28 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
IPD50P04P4-13 IPD5P4P413XT SP000840204
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD50P04P413ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥35.5046
10:¥31.7304
100:¥26.2047
250:¥23.278
500:¥21.4361
参考库存:2485
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,397.9456
5:¥1,364.2942
10:¥1,330.4055
25:¥1,311.817
参考库存:1497
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Bipolar Discretes SOT23
1:¥3.2996
10:¥2.4973
100:¥1.356
1,000:¥1.01474
参考库存:7464
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LV High Perf PNP VCBO -40 VCEO -40
1:¥3.5369
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
10,000:¥0.89157
20,000:查看
参考库存:20961
晶体管
MOSFET Pwr transistor 100V OptiMOS 5
1:¥10.9836
10:¥9.379
100:¥7.232
500:¥6.3958
5,000:¥4.4748
10,000:查看
参考库存:1722
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