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晶体管
STGP10NC60KD参考图片

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STGP10NC60KD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 PowerMESH&#34 IGBT
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库存:5,766(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.7575
8.7575
10
¥7.5258
75.258
100
¥5.7856
578.56
500
¥5.1189
2559.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
Pd-功率耗散
25 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGP10NC60KD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
20 A
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
9 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,STGP10NC60KD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1.0A 80V
1:¥4.9946
10:¥3.8646
100:¥3.3787
250:¥2.938
参考库存:5951
晶体管
MOSFET 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET
1:¥14.2945
10:¥12.1362
100:¥9.6841
500:¥8.4524
3,000:¥6.5653
6,000:查看
参考库存:13543
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 100MA SMT5
1:¥2.9154
10:¥2.0114
100:¥0.92208
1,000:¥0.71416
3,000:¥0.60681
参考库存:2920
晶体管
MOSFET PTD LOW VOLTAGE
1:¥2.9945
10:¥2.2939
100:¥1.243
1,000:¥0.92999
3,000:¥0.79891
9,000:¥0.75258
参考库存:2562
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms
1:¥14.9047
10:¥12.6786
100:¥10.1474
500:¥8.8366
参考库存:1246
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