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晶体管
STGP6NC60HD参考图片

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STGP6NC60HD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 PowerMESH&#34 IGBT
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库存:5,631(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.9101
9.9101
10
¥8.4524
84.524
100
¥6.4749
647.49
500
¥5.7291
2864.55
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
15 A
Pd-功率耗散
56 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGP6NC60HD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
15 A
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
7 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,STGP6NC60HD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 60V P-CHANNEL
1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
2,500:¥2.7007
参考库存:4904
晶体管
MOSFET N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥18.7467
10:¥15.9104
100:¥12.7577
500:¥11.1418
参考库存:1966
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥4.4522
10:¥3.7516
100:¥2.2939
1,000:¥1.7628
2,500:¥1.5029
参考库存:1159
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 65A TDSON-8
1:¥4.8364
10:¥4.068
100:¥2.6329
1,000:¥2.1018
5,000:¥2.1018
参考库存:6095
晶体管
MOSFET NFET 25V 65A 0.0075R DPAK
1:¥6.5314
10:¥5.5483
100:¥4.2601
500:¥3.7629
2,500:¥2.6329
10,000:查看
参考库存:3572
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