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晶体管
STGP6NC60HD参考图片

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STGP6NC60HD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 PowerMESH&#34 IGBT
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数量单价合计
1
¥9.9101
9.9101
10
¥8.4524
84.524
100
¥6.4749
647.49
500
¥5.7291
2864.55
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
15 A
Pd-功率耗散
56 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGP6NC60HD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
15 A
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
7 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,STGP6NC60HD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.5368
10:¥1.3786
100:¥0.90626
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.25312
参考库存:46370
晶体管
MOSFET
1:¥155.375
5:¥153.7591
10:¥143.3066
25:¥136.8543
参考库存:6765
晶体管
JFET JFET N-Channel -40V 20Vds 20mA -20Vgs
705:¥9.605
1,000:¥7.91
2,500:¥7.0964
10,000:¥6.8252
参考库存:46375
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL PNP/PNP
1:¥2.9154
10:¥1.8758
100:¥0.80682
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.46895
参考库存:46378
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN DIGITAL TRANSISTORS
3,000:¥0.29945
9,000:¥0.25312
24,000:¥0.23843
45,000:¥0.22261
99,000:¥0.20001
参考库存:46381
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