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晶体管
NSS1C200LT1G参考图片

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NSS1C200LT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V LO VCE(SAT) TRA PNP
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.7007
27.007
100
¥1.469
146.9
1,000
¥1.09836
1098.36
3,000
¥0.95259
2857.77
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
140 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
最大直流电集电极电流
2 A
增益带宽产品fT
120 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NSS1C200L
直流电流增益 hFE 最大值
150
高度
0.94 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.3 mm
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
710 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，NSS1C200LT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC807-40LR
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC807L_BC807LW - 45 V, 500 mA PNP general-purpose transistors
1:¥0.99892
10:¥0.89157
100:¥0.31527
1,000:¥0.2147
参考库存:19381
DMP3008SFG-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 3K
暂无价格
参考库存:19384
IPL60R104C7AUMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥42.036
10:¥35.7306
100:¥30.962
250:¥29.3574
3,000:¥21.0519
参考库存:19387
NTMFS4C09NT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 52A 5.8MOH
1:¥4.8364
10:¥4.0002
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
5,000:¥1.6046
参考库存:19390
IFN112
InterFET
晶体管
JFET N-Ch -50Vgss -1.2Vgs 10mA 360mW 2.88mW
100:¥65.7773
250:¥59.9352
500:¥56.0932
1,000:¥51.4037
参考库存:19393
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