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晶体管
NSS1C200LT1G参考图片

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NSS1C200LT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V LO VCE(SAT) TRA PNP
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.7007
27.007
100
¥1.469
146.9
1,000
¥1.09836
1098.36
3,000
¥0.95259
2857.77
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
140 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
最大直流电集电极电流
2 A
增益带宽产品fT
120 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NSS1C200L
直流电流增益 hFE 最大值
150
高度
0.94 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.3 mm
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
710 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，NSS1C200LT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC807-25LWF
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC807-25LW/SOT323/SC-70
10,000:¥0.18419
30,000:¥0.1695
50,000:¥0.14577
100,000:¥0.12317
参考库存:16497
IPD90N08S405ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
1:¥20.6677
10:¥17.5941
100:¥14.0572
500:¥12.2944
2,500:¥9.4468
5,000:查看
参考库存:4800
DMN3053L-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 30V N-Ch Enh FET 12Vgss 0.76W 676pF
10,000:¥0.71416
参考库存:16502
FDMC510P-F106
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET ST3 20V/8V PCH Power Trench Mosfet
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
3,000:¥2.3843
参考库存:5297
SIHH14N65EF-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
3,000:¥19.8993
参考库存:16507
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